半導（dǎo）體（tǐ）激光器又稱為（wéi）激光二極管，是采用半導體材料作為工作介質而產生受激發射的一類激光器（qì）。常用材料有砷化镓（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦（InP）、硫化鋅（ZnS）。激（jī）勵方式（shì）有電注入、電子束激勵和光泵浦激勵三（sān）種形式。
根據激光（guāng）介（jiè）質和工作原理的不同，半（bàn）導體激光器可以（yǐ）分為以下幾類：
1.激光二極管
激光二極管的工作原理是，在（zài）PN結中注入電流，電子與空穴在結區域（yù）內（nèi）複合，釋放出激光光子。由於PN結的結區（qū）域非常小（xiǎo），因此可以（yǐ）產生非常密集（jí）的激光束（shù）。激光二極管（guǎn）的波（bō）長通（tōng）常在800nm至（zhì）980nm之間，適合於光纖通信等應用。
2.垂直腔麵發射激光器(VCSEL)
垂直腔麵發射激光器(VCSEL)是一種在半導體芯片上製造的激光器（qì）。它的激光輸出垂直於芯片表麵（miàn），可以實（shí）現（xiàn）高效耦合到光纖或其他光學（xué）元件中，因此在光通信、光存儲、光打印等領域有廣泛應用。
3.邊界（jiè）發射激光器(EEL)
邊界發射激光器(EEL)是一種在（zài）PN結的邊界上發射激（jī）光的半導體激光器。它的結構類似於激光二極管，但是在PN結的一側增加了一（yī）層反射鏡，使激光在PN結邊界上振蕩，EEL的優點是輸出功率高，波長可調，結構簡單等。
4.量子阱激（jī）光器
量子阱激光器是一種利用（yòng）量（liàng）子（zǐ）阱結構的電子束純效應產生激光（guāng）的半（bàn）導體激光器。量子阱激光器且有波長可調，輸出功率高，照聲低等優點，適用於光纖通信，醫療和（hé）光譜（pǔ）分析（xī）等領域。
5.垂直（zhí）外延激光器
垂直外延激（jī）光器(VLEC)是一種采用外延生長技術（shù）製造的半導體激光器。VIEC的結構複雜，製造工（gōng）藝難度較大，但是具（jù）有波長範圍寬，輸（shū）出功率（lǜ）高等優點，適用於高（gāo）速光通信，光存儲和光打印等領域。
VSCEL VS EEL
根據激光投（tóu）影的方向（xiàng），半導體激（jī）光器可（kě）以分為兩類型：邊發射激光（guāng）器（EEL）和垂（chuí）直腔麵發射激光器（VCSEL）。
EEL有兩種（zhǒng）主要類型：FP激光器和DFB激光器（qì）。在FP激光器中，激光二極管是激光器（qì），其反射鏡隻是激光芯片末端的平麵裂開（kāi）表（biǎo）麵。FP激光器主要用於低數（shù）據速率短距離傳輸；傳輸距離一般在20km以（yǐ）內，速率一（yī）般在（zài）1.25G以（yǐ）內（nèi）。DFB激光二極管是在腔內具有光柵結構的激光器，其在整個腔中產生多次反射。它們主要用於高數據速率的長距離傳輸。
VCSEL與EEL相比，VCSEL激光垂直於頂麵射出，與激光由邊緣射出的邊發射型激光器（EEL）有所不同。因此相較於邊射（shè）型（xíng）激光器，VCSEL激光器具有低閾值電流、穩定單（dān）波長工作、可高頻調（diào）製、容易二維集成（chéng）、沒有腔麵閾值損傷等優點，提供（gòng）更好的激光束質（zhì）量，更高（gāo）的耦（ǒu）合效率和空腔反射率。此外，VCSEL能夠以二維陣列進行（háng），使單個芯片可以包含數百個單（dān）獨的光源，以增加最大輸出功率和（hé）提升長遠的可靠性，EEL隻能在簡單的一維陣列中進行。
半導體激光（guāng）器又稱（chēng）為激光二（èr）極管，是采用半導體材料作為工作介質而產生受激（jī）發射的一類激光器。常（cháng）用材料有砷化镓（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦（InP）、硫化鋅（ZnS）。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦激勵三種形式。
根據激光介質和工作原理的不同，半導（dǎo）體激光器可以分為以下幾類：
1.激光二極管
激光二極管的工作原理是，在PN結中注入電流，電子與空穴在結區域內複合，釋放出（chū）激光光子。由於PN結的結區域（yù）非常小（xiǎo），因此可以產生非常（cháng）密集的激光束。激光二極管的波長通常（cháng）在800nm至980nm之（zhī）間，適合於光纖通信等應用。
2.垂直腔（qiāng）麵發射激（jī）光器（qì）(VCSEL)
垂（chuí）直腔（qiāng）麵（miàn）發射激光器(VCSEL)是一種在半導體芯片上製造的激光（guāng）器。它的激光輸出（chū）垂直於芯片表麵，可以實現高效耦合到光纖或其他光學元件中，因此在光通信、光存儲、光打印等（děng）領域有廣（guǎng）泛應用。
3.邊界發射激光器(EEL)
邊界發射激（jī）光器(EEL)是一種在PN結的邊界上發射激光的半導體激光（guāng）器。它的結構類似於（yú）激（jī）光二極管，但是在PN結的一側增加了一層反射鏡，使激光在PN結邊界上振蕩，EEL的優點是輸出功率高，波長（zhǎng）可調，結構簡單等。
4.量子阱（jǐng）激光器
量子阱激光器是一種利用（yòng）量子阱（jǐng）結構的電子（zǐ）束純效應產生激光的半導體激光器。量子阱激光器且有波長可調，輸出功率高，照聲低等優點，適用於光纖通（tōng）信，醫療（liáo）和光譜（pǔ）分析等領域。
5.垂（chuí）直外（wài）延激光器
垂直（zhí）外延激（jī）光器(VLEC)是一種采（cǎi）用外延生長技術製造的（de）半導體激光器。VIEC的結構複雜，製造工藝難度較大（dà），但是具有波長範（fàn）圍寬，輸出功率高等（děng）優點，適用於高速光通信，光（guāng）存儲和（hé）光打（dǎ）印等領域。
VSCEL VS EEL
根據激光投影的方向，半導體激光器可以分為兩（liǎng）類型：邊發射激光（guāng）器（EEL）和垂直腔麵發（fā）射激光器（VCSEL）。
EEL有兩種主（zhǔ）要類型：FP激光器和DFB激光（guāng）器。在（zài）FP激光器中，激光二極管是激光器（qì），其反射鏡隻是激光芯片末端的平（píng）麵裂開表麵。FP激光器主要用於低數據速（sù）率短距離傳（chuán）輸（shū）；傳輸距離一般在20km以（yǐ）內，速率一般在1.25G以內（nèi）。DFB激光二極管是在腔內具有光柵結構的激光（guāng）器，其在整個腔中產生多次反射。它們主要用（yòng）於高數據速率的長距離傳輸。
VCSEL與EEL相比，VCSEL激光垂直於頂麵（miàn）射出，與激光（guāng）由邊緣（yuán）射出的邊發射型激光器（EEL）有所（suǒ）不同。因此相（xiàng）較於邊（biān）射型激光器，VCSEL激光器具有低閾值電流、穩定單波長工作、可高頻調製（zhì）、容易二維集成、沒有腔麵閾值損傷（shāng）等（děng）優點（diǎn），提供更好的激光束（shù）質量，更高的耦合（hé）效率和空腔（qiāng）反射率。此外，VCSEL能夠以二維陣列進行，使單個芯片可（kě）以包含數百（bǎi）個單獨的光源，以增加最大輸出功率和提升長遠的可靠性（xìng），EEL隻能在簡單的（de）一維陣列中（zhōng）進行。
其中精密光學元件包（bāo）括窗口片、反射鏡（jìng）、棱鏡（jìng）、偏振器、柱麵鏡、球麵透鏡、非球麵透（tòu）鏡、波片、分光鏡、衍射光柵及（jí）其他特色光學元件等，正是激光雷達整機中需要的光學元件。
