圖像傳感器的功能是光電轉換。關鍵的參數有像素、單像素尺寸、芯片尺寸、功耗。技（jì）術工藝上有前照式（FSI）、背照式（BSI）、堆棧式（Stack）等。以下簡單介紹（shào）。

一、圖像傳感器架構

圖像傳感器從外觀看分（fèn）感光區域（Pixel Array），綁線Pad，內層電路（lù）和基板。感光區域是單像素（sù）陣（zhèn）列，由多個單像素點組成。每個像素獲取的光信號匯集在一起時組成完整的畫麵。

CMOS芯片由微透鏡層、濾色片層、線路層、感光元件層（céng）、基板層組成。

由於光線進入各個單像素（sù）的角度（dù）不一樣，因此在每個單（dān）像素上表麵增加了一個微透鏡修正光線角度（dù），使光線垂直（zhí）進入感光元（yuán）件表麵。這就是芯片CRA的概念，需要與鏡頭的CRA保持在一點的偏差範圍內。

電路架構上，我（wǒ）們加入（rù）圖像傳感器是一個把光信號轉為（wéi）電信號的暗盒，那麽暗盒外（wài）部通常包含有電源、數據、時鍾、通訊、控製和同步等幾部分電路（lù）。可以簡（jiǎn）單理解為感光區（qū）域（Pixel Array）將光（guāng）信號（hào）轉換為電信號後，由暗盒中的邏輯電路將電信（xìn）號進行處理和一定的編碼後通過數（shù）據（jù）接（jiē）口將（jiāng）電信號輸出。

　二、圖像傳感器關鍵（jiàn）參數

1.像素：指感光區（qū）域內單像素點的數量，比如5Maga pixel，8M，13M，16M，20M，像素越多，拍攝畫（huà）麵幅麵就越大，可拍攝的畫麵的細節就越多。

2.芯片尺寸：指感光區域對角線距離，通常以英製（zhì）單位表示，比如1/4inch，1/3inch，1/2.3inch等。芯片尺寸越大，材料成本越高。

3.單（dān）像素尺寸（cùn）：指單個感光元件的長寬尺寸，也稱單像素的開口尺寸，比如1.12微米，1.34微米，1.5微米等。開口尺寸越大，單位時間內進（jìn）入的光能量就越（yuè）大，芯片整體性能就（jiù）相對較高，最終拍攝畫麵的整體畫質相（xiàng）對較優秀。單像素尺寸是圖像（xiàng）傳感器一個相當關鍵的參數。

其他更深入的參數（shù）比如SNR，Sensitivity，和OB Stable等在這裏不做介紹，朋友（yǒu）們可以研究探（tàn）討（tǎo）。

三、前照式（FSI）與背照式（BSI）

傳統的CMOS圖像傳感器是前照式結（jié）構的，自上而下分（fèn）別是透鏡層、濾色片層、線路層、感光元件層。采取這個結構時，光線（xiàn）到（dào）達感光元件層時必（bì）須經過線（xiàn）路層（céng）的開口，這裏易造成光線損失。

而背照式把感光元件層（céng）換到線路層的上麵，感光層隻保留了感光元件的部分邏輯電路，這樣使光線更加直（zhí）接的進入感光元件層，減少了光線損（sǔn）失，比如光線反射等。因此在同一單位時間內，單像素能獲取的（de）光能量更大，對畫質有明顯的（de）提升。不過該結構的芯片生（shēng）產工藝難度加大，良率（lǜ）下降，成本相對高一點。

　四、堆棧式（Stack）

堆棧式是在背照（zhào）式上的一種改良，是將所有的（de）線路層挪到感光元件的底層（céng），使開（kāi）口麵（miàn）積得以最大化（huà），同時縮小了芯片的整體麵積。對產品小（xiǎo）型化有幫（bāng）助（zhù）。另外，感光元（yuán）件周邊的邏輯電路移到底部之後，理論上看邏輯電路對感光元件產生的效果影響（xiǎng）就更小，電路（lù）噪聲（shēng）抑製得以優化，整體效果應該更優。業內的朋友應該了解相同像素的堆棧式芯片的物（wù）理尺寸是比背照式芯片的要小的。但堆棧式（shì）的生產工藝更大，良率更低，成本更高。索尼的IMX214（堆棧式）和（hé）IMX135（背照（zhào）式）或許很能說明上述（shù）問題。