ZnSe晶體屬（shǔ）麵（miàn）心立方結（jié）構，其（qí）光率體橢（tuǒ）球為一個球體，在光學上表現為各向同性。它具（jù）有優異的物理與化學性質，可用於製造藍光半導（dǎo）體激光器、光探測器件、非線性光學器件、波導調製器等；同時，作為優秀的紅外材料，透過（guò）波長為（wéi）O．5～22“m，特別在10．6肛m處（chù）有極好的透過率，是紅外透鏡（jìng）、激光窗口、紅（hóng）外熱像儀和高功率CO。激光（guāng）器應用（yòng）的首選材料。這些（xiē）應用帶動了znSe晶體加工（gōng）技術的發展並對其加工提出愈（yù）來愈（yù）高的要求，作為紅外（wài）材料使用，在加工中要保證其表麵光潔度和（hé）良好的透過率。

znse透鏡的基（jī）本參數和技（jì）術要求圖1為ZnSe晶體的透過率曲（qǔ）線。由1圖可知，znSe晶體具有極好的光學特性，能透過可見和紅外光，尤其在紅外光譜區具有高（gāo）而均勻的光學透過率。表1給出了ZnSe晶體的折射率砣隨波長A的變化，ZnSe晶體的折射率溫度係數低（dī），適用於製作多光譜應（yīng）用中的光學元件。

圖1 ZnSe晶體的透過曲線

        表（biǎo）l ZnSe晶體折射率隨波長的變化

 晶體研磨對透鏡偏心及光潔（jié）度（dù）的影（yǐng）響

磨盤材料選（xuǎn）用鑄（zhù）鐵，采用數控車床加工，很好地（dì）控製了其（qí）麵形精度。在進行粗細磨工序前，應先將R一（yī）140 mm麵（miàn）半徑加工好，加工時中心磨到（dào）即可。盡量少去厚度（dù）或（huò）不去厚度，而且要注意偏心，偏心量大致不應（yīng）超過0．20～o．30 mm。

拋光對零件表麵光潔度的影響

ZnSe晶（jīng）體的拋光是機械、物理和化（huà）學作（zuò）用的共同結果。在拋光過程中，拋光劑具（jù）有2種作用，即機械作（zuò）用與（yǔ）膠體化學作用，這2種作用是同時出現的。在拋光的初始階段，是拋光劑去除表麵凹凸層的（de）過程，因（yīn）而呈現（xiàn）出新的拋光麵，這時主要是靠機械作用。但呈現出（chū）新的拋（pāo）光麵以後，拋（pāo）光劑顆粒開始（shǐ）與材料表麵進行分（fèn）子接觸，由於拋光劑具有一定的化學活性，即具有強烈的晶格缺陷(實踐證明，具有晶格（gé）缺陷的拋光劑的拋光效率是比較高（gāo）的)，晶格缺陷處的各質點的結合能量比較大，易（yì）於通過化學吸附作用把材料表麵分子吸附出來，在拋光劑與（yǔ）材料表麵（miàn）分子接觸中材料即被拋（pāo）光。

加工過程中需要注（zhù）意的（de）問題

嚴格說來，晶體加工是一種（zhǒng）有（yǒu）害作業，因此，應該重視（shì）加工者的健康防護問題。防護上大體可（kě）以采

取以下措施：

(1)有毒晶體的加工應（yīng）集中在有良好通風排毒設（shè）備的專門房間裏，機床（chuáng）工（gōng）作台（tái）應有防護罩和排風扇。

(2)為了減（jiǎn）少或消除毒物（wù）對人體的傷害，工作之後必須認真洗手，用刷子將雙手仔細擦洗幹淨（jìng）。

(3)嚴禁在有毒的工作間內吸煙、進食，要（yào）定時呼吸新鮮空氣。

加（jiā）工中采用雙氧水溶劑（jì）浸泡Al。O。拋光劑，軟化了AlzO。磨料，大大提高了拋光零（líng）件的（de）表麵質量，取得了較為理想的效果。同時，為整盤等厚加工設計製作的工具既簡（jiǎn）單可靠，又保（bǎo）證了零件的精度。